技术编号:6957298
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,具体涉及。背景技术氮化镓微波单片集成电路(GalliumNitride Monolithic Microwave IntegratedCircuit,GaN MMIC)的整个制作过程,需要经过十几个工艺步骤,其中有源器件 GaN HEMT的制作涉及欧姆接触源漏金属的蒸发及合金、有源区的隔离、栅金属的蒸发、场板金属的蒸发以及Si3N4介质的钝化等关键工艺步骤,而无源RLC器件则需要TaN电阻的溅射、互连引出端的金属布线、MIM电容中Si3...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。