技术编号:6957402
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种。背景技术针对超结器件(SUPER JUNCTION)、压敏传感器件(MEMQ、大功率器件(POWER M0S) 等制程中,深沟槽工艺(DEEP TRENCH)得到广泛的应用,深沟槽通过干法刻蚀获得。现有都是采用干法刻蚀工艺在硅片的正面形成深沟槽,采用干法刻蚀工艺在硅片的正面形成深沟槽包括如下步骤步骤1、如图1所述在硅片1上进行硬掩膜2的生长和刻蚀,用所述硬掩膜2形成的图形作为在所述干法刻蚀时的掩模层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。