技术编号:6957428
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池及其制造方法本发明属于太阳能电池制造领域,具体涉及一种N型PN结反型层电池的结构及其 制造方法。背景技术在能源短缺、环境污染问题日益突出的背景下,发展可再生能源已成为全球的重 大课题,利用太阳能则是发展可再生能源的一个重点方向,世界光伏市场在过去十年一直 保持着年均30%以上的高速增长,2009年增幅更是达到惊人的152. 8%。产量由2008年的 7. 91GW增至2009年的近20GW。与国外先进电池制备技术相比,我国...
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