技术编号:6957734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。 背景技术发光器件(LED)包括p-n结二极管,其特性包括将电能转换为光能并且可以通过 化合周期表的III族元素和V族元素进行制造。LED可以通过调整化合物半导体的组成比 率来显示各种颜色。LED发射对应于导带和价带之间的能带的能量,在正向电压的施加期间复合η层 的电子和P层的空穴之后出现该能量发射。通常以热或者光的形式发射此能量并且如果以 光的形式发射,那么它成为LED。例如,由于氮化物半导体具有高的热稳定...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。