技术编号：6957887
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造方法，具体涉及一种横向扩散金-氧-半场效应器件(LDM0Q的制造方法，尤其是一种。背景技术在功率或高压半导体集成电路芯片的先进工艺制造过程中，低压倒置阱注入常常用来作为高压横向扩散金-氧-半场效应器件(LDMOS)的体区(body)注入，高压LDMOS的剖面图如图1所示。倒置阱注入一般包括高能量的阱注入和低能量的开启电压调节注入。 通常情况下，离子注入以光刻胶为阻挡层，因而有所谓的“阴影效应”的问题由于光刻胶是软性的，覆盖在硅片...
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