技术编号:6957912
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的工艺方法,特别地涉及一种提高金属栅化学机械平坦化工艺均勻性的方法。背景技术高K/金属栅工程在45纳米技术节点上的成功应用,使其成为30纳米以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。目前,只有坚持高K/后金属栅(gate last)路线的英特尔公司在45纳米和32纳米技术节点的量产上取得了成功。近年来,紧随IBM产业联盟的三星、台积电、英飞凌等业界巨头也将之前研发重点由高K/先金属栅(gate first)转向gate Iast0对...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。