技术编号:6957934
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其涉及一种在高温大功 率开关器件及微波器件中的。背景技术以GaN为代表的宽禁带半导体材料,以宽禁带、高击穿电场强度、高热导率、高饱 和电子漂移速度、异质界面二维电子气浓度高等优异的材料性能;成为目前第三代半导体 研究热点。这些特性使得GaN在制作大功率电子器件方面具有很大的优势和应用前景。增强(常关)型HEMT的研究对于GaN电子器件的实用化有重要的意义。增强型器 件栅极不需要负电压供电就可以实现沟道的关闭,满足一般功率开关电路对器件安全...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。