技术编号:6957959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种非晶硅热敏薄膜以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法。背景技术非制冷红外探测器由于无需制冷装置,因而提高了红外系统的便携性、降低了功耗,所以已经广泛应用于通信、医学、军事和工业等领域中。非制冷红外探测器是利用探测元件吸收入射红外辐射而产生热、造成温度变化,并借助各种物理效应把温度变化转换成电信号的原理而制成的器件。作为感知红外辐射与输出信号之间的桥梁,敏感元件是非制冷红外探测器的核心部件。利用热敏薄膜的热电特性来测量红...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。