技术编号：6958061
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体器件，特别是一种半导体器件的发射区结构。背景技术在正常情况下，半导体器件发射区结构一般设计为梳状结构(树枝结构，如图1所示)、覆盖结构或网络结构。这些半导体结构存在着发射区金属条跨过基区的矛盾和因氧化层针孔引起的EB短路以及发射条比较短。单位面积电流较小的诸多弊端。发明内容本实用新型的发明目的是利用发射区电流集边效应而提供一种半导体器件的发射区结构，以解决现有半导体器件发射区梳状结构、覆盖结构或网络结构存在的不足之处。为了实现上述发明目...
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