技术编号:6958265
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到,属于半导体二极管制作。背景技术瞬态电压抑制二极管是一种高效能的电路保护器件。近年来,航空、航天用电子元器件朝着小型化方向发展,原有的金属封装、玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管已不能满足要求,要求有体积更小的瞬态电压抑制二极管以满足电子设备小型化的要求。发明内容本发明的目的在于,提供,以缩小硅双向瞬态电压抑制二极管的体积、便于工程安装,从而克服现有技术的不足。本发明的技术方案是这样构成的本发明的一种硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法是在P型硅片两...
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