技术编号：6958300
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术，特别涉及一种。 背景技术目前，随着半导体器件的发展，如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的发展，自对准金属硅化物如自对准镍化硅、钛化硅方法被引进来，用于产生硅化物，能够很好地与露出的源、漏以及多晶硅栅的硅(Si)对准。这是因为金属Ni或者Ti可以与硅反应，但是不会与硅氧化物如二氧化硅(SiO2)、硅氮化物如氮化硅(Si3N4)或者是硅氮氧化物 (SiON)反应。因此Ni或者Ti仅仅会寻找到硅的部分进行反应，而对于由硅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。