技术编号:6958353
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅晶片背面的封装结构,特别涉及一种能有效改善外延生长 (epitaxial growth)时所产生的晶片毛边(silicon nodule)的问题的结构。背景技术硅晶片为制造半导体电子元件的主要基材(substrate),一般半导体的制造方法可包括以下步骤1.单晶生长(crystal growth),通常以直拉法(CZ)生长无差排(dislocations) 缺陷的单晶硅棒材(又称晶棒),单晶分为P型单晶和N型单晶,其中P型单晶是掺杂IIIA...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。