技术编号:6958520
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种GaN基LED芯片的电极结构的制作方法,属半导体LED芯片制作 领域。背景技术基于氮化镓(GaN)系材料的发光二极管(LED)的发展是光电子科学技术进步中的 重大成就,GaN系列LED是发展固态照明、实现人类照明革命的关键性光源,具有广泛的应 用前景。常规的LED发光功率较小,还不能满足LED的照明应用要求。要提高发光功率, 就需要在不改变材质的前提下,通过提高电流的手段来提高亮度,然而随着流入LED芯片 的电流升高,LED发热量会剧增,导致...
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