技术编号:6958904
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。 背景技术在集成电路制造工艺中,金属前介质层(Pre-Metal Dielectric,PMD)设置于器件和互连金属层之间,作为使器件免受杂志粒子污染的保护层。通常,金属前介质层的组成成分为绝缘物质SiO2。在实际操作过程中,由于金属前介质层图形本身高度落差的原因,最终形成的金属前介质层表面会出现高低起伏的不平坦现象。例如,在多晶硅栅上沉积金属前介质层时, 由于栅极与衬底之间存在高度差,如图1所示,因此在沉积金属前介质后...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。