技术编号：6959322
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别涉及。 背景技术闪存的标准物理结构称为闪存单元(bit)。闪存单元的结构与常规MOS晶体管不同。常规的MOS晶体管的栅极(gate)和导电沟道间由栅极绝缘层隔开，一般为氧化层 (oxide)；而闪存在控制栅(CG control gate，相当于常规的MOS晶体管的栅极)与导电沟道间还具有浮栅(Refloating gate)。由于浮栅的存在，使闪存可以完成三种基本操作模式即读、写、擦除。即便在没有电源供给的情况下，浮栅的存在可以...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。