技术编号:6959712
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,特别是涉及一种在淀积金属前去除衬底表面自然氧化硅层的方法和通过该方法来形成自对准硅化物的方法。背景技术自然氧化硅层是当衬底表面曝露在空气中或含溶解氧的去离子水中时,水分子吸附在衬底上并渗透到硅表面,引起硅表面发生氧化,生成的一层薄氧化层。该自然氧化硅层的形成可以在室温条件下发生,其厚度随曝露时间的增长而增加。自然氧化硅层对半导体器件的性能和可靠性都有重要的影响。特别是,在自对准硅化物工艺中淀积金属层之前,如果衬底表面源/漏区和多晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。