技术编号:6959815
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器,特别涉及一种双极晶体管选通的阻变存储器及其制造方法。背景技术阻变存储器(RRAM)由于具有写入操作电压低、写入擦除时间短、保持时间长、非破坏性读取、多值存储、结构简单以及所需面积小等优点,因此逐渐成为目前新型非挥发性存储器件中的研究重点,而如何提高阻变存储器的存储密度更是一个重要的方向。RRAM主要包括MOS (metal oxide semiconductor)晶体管选通的阻变存储器和双极型晶体管(BJT)选通的阻变存储器,而选通...
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