技术编号:6959873
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件,尤其涉及一种半导体鳍片与鳍式场效晶体管的结构及其形成方法。背景技术随着集成电路的尺寸越来越小,以及对于集成电路的要求逐渐增加,晶体管需要随着越来越小的尺寸而具有较高的驱动电流,因此发展出鳍式场效晶体管(Fin field-effect transistors ;FinTFTs)。与平面的晶体管相似,可在鳍式场效晶体管的源极与漏极区上形成源极与漏极硅化物。然而,由于鳍式场效晶体管的鳍片通常很窄,因此会发生电流聚集(current c...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。