技术编号：6960087

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本发明涉及的是一种半导体的装置及其制备方法，具体是一种。背景技术近来，已提出相变随机存取存储(Phase Change RAM,PCRAM)器件(简称相变存储器)作为非易失性半导体存储器件。相变存储器的单位存储单元使用相变材料作为数据储存介质。相变材料根据供应给它的热而具有两种稳定相(例如非晶相和晶相)。已知的相变材料有Ge-Sb-Te (GST)化合物等等，其为锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)的混合物。供应热以实现相变材料中的相变。如果在接近相变材料的...
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