技术编号:6960094
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体SOI高压器件领域,具体涉及一种散热性能较好的SOI器件结 构。背景技术SOI (Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)技术是在顶层硅和背衬底之间引 入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜,SOI材料具有了体硅所无法比拟的 优点可以实现集成电路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效 应;采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟 道效应小及特别适用于低压低...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。