技术编号:6960217
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造方法,特别涉及浅沟槽隔离制作方法。 背景技术目前的半导体集成电路(IC)器件普遍制作在衬底上。IC器件通常包括各种分立电路元件(discrete circuit elements)。为了隔离分立电路元件,使得每个分立电路元件都能够独立工作且不会受到其他元件状态的影响,在制作IC器件之前,先将衬底分为彼此隔离的有源区(Active Area,AA),然后在AA中制作分立电路元件。随着IC器件集成度的提高,现在通常采用浅沟槽隔离(Sha...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。