技术编号：6960464
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电，尤其涉及一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测ο背景技术目前，硅基薄膜晶体管(Si TFT, Si Thin Film Transistor)有源寻址技术与非晶硅(a-Si)光电二极管这种光敏感元件结合，发展出大面积二维传感器件，例如TFT探测基板，该探测基板包括TFT和光电二极管，当光信号照射光电二级管时，所感生的光生电荷量将反映光照信息，TFT沟道的关闭和导通来控制该光照信息的储存和读取。这种二维传感器件能以近乎100%的光利用率传...
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