技术编号：6960491
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，更具体地，本发明涉及一种MOS器件的制作方法。 背景技术随着半导体技术的飞速发展，半导体器件特征尺寸逐渐减小，对芯片制造工艺也相应提出了更高的要求。在小尺寸的MOS器件中，为了减小氮化硅侧壁所产生的应力问题，晶体管栅极的侧壁通常采用氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)夹层结构。其中，氧化硅与多晶硅材质的栅极之间具有较低的应力以及较好的粘附性，所述ONO侧壁能够实现对栅极更为良好的保护。更多关于具有ONO侧壁的MOS器件的制作方法可以参见专利号...
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