技术编号：6960513
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在氧化气氛中退火的领域，特别是在通过将至少一个层转移到支撑衬 底上而获得的诸如BSOI (键合绝缘体上硅)结构的多层半导体结构或衬底(也被称为多层 半导体晶片)的制造过程中所使用的氧化气氛中的退火。背景技术参考图IA至图IF描述用于制造多层结构的已知过程的示例。如图IA和图IB所示，通过组装例如由硅制成的第一晶片101和第二晶片102来 形成复合结构100。这里的第一晶片101和第二晶片102具有相同的直径。当然，它们也可 以具有不同的直径。可以...
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