技术编号:6960644
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,更特别地涉及硅氧化物氮化物氧化物硅(SONOS)非易失性存储器的。背景技术通常,Flash存储器件有两种结构一种是浮栅(floating gate)结构,这也是一直以来的主流结构;另一种是电荷能陷储存(Charge-Trapping Flash, CTF)结构,SONOS (硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)属于后者。随着市场对Flash存储器件集成度要求的不断提高,制程尺寸不断缩小,浮栅的厚度至45nm已近乎极限,难以再缩小,同时...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。