技术编号:6960705
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种。 背景技术相变存储器作为一种新兴的非易失性存储技术,在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面对快闪存储器FLASH都具有较大的优越性,成为目前非易挥发性存储技术研究的焦点。相变存储技术的不断进步使之成为未来非易挥发性存储技术市场主流产品最有力的竞争者之一。具有如锗(Ge)、硒(Se)、碲(Sb)等元素构成的合金型固态相变材料(GST材料), 逐渐作为相变材料被用到相变存储器中。关于由固态相变材...
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