技术编号：6960727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子，涉及一种集成双纵向沟道(DVC) SOI (绝缘层上半导 体)LDMOS (横向双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管)器件单元。背景技术SOI LDMOS器件由于其较高的集成度、较高的工作频率和温度、较强的抗辐照能 力、极小的寄生效应、较低的成本以及较高的可靠性，作为无触点高频功率电子开关或功率 放大器、驱动器在智能电力电子、高温环境电力电子、空间电力电子、交通工具电力电子和 射频通信等领域具有广泛应用。集成纵向沟道SOI nLDMOS...
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