技术编号:6960740
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,具体来说,涉及一种。 背景技术随着MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)沟道长度不断缩短,一系列在MOSFET长沟道模型中可以忽略的效应变得愈发显著,甚至成为影响性能的主导因素,这种现象统称为短沟道效应。短沟道效应会使得器件的电学性能恶化,如造成栅极阈值电压下降、功耗增加以及信噪比下降等问题。为了控制短沟道效应,人们不得不向沟道中掺杂更多的磷、硼等杂质元素,但此举易导致器件沟道中载流子迁移率下降;而且用来向沟道中掺杂杂质的分布也存在很难...
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