技术编号:6960756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种含扩散缓冲层的新雪崩光电二极管(A P D, Avalanche Photo Diodes)制造方法,主要提供A P D的制程,藉由其结构改良来减少作业程序,进而得以节省成本,以符合其产业利用性。背景技术目前所知的APD芯片制程,[请参阅图1]该制程首先必须建构一所需的芯片晶膜结构1,并于上方设置光掩膜2,[请参阅图2]在半导体区进行第一次黄光扩散技术,达到该区域所须的深度后结束此步骤,[请参阅图3]再让扩散深度需为较深的区域进行第二次黄光扩...
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