技术编号:6960962
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术一般来说,随着存储器的尺寸逐渐缩小,为了克服愈来愈小的线宽以及防止接触窗发生对准失误(misalignment),会采用自行对准接触窗(self-aligned contact, SAC)工艺。在自行对准接触窗工艺中,栅极侧壁的间隙壁厚度会影响形成于栅极之间的接触窗的尺寸。然而,由于存储器元件包括存储单元区与外围区,而存储单元区与外围区的元件对于间隙壁厚度的要求不同,因此增加了工艺的复杂度。一般来说,会同时在存储单元区与外围区的栅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。