技术编号：6960978
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及芯片，尤其是高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法。 背景技术发光二极管是一种高效率的将电能转化为光能的半导体发光器件，是21世纪最 有前景的光源之一。发光二极管一般是通过直接带隙半导体的载流子本征跃迁发光，具有 极高的光电转换效率，即高的内量子效率，目前蓝光芯片的内量子效率可以做到90%以上。 为了实现高效率的照明，当前关键是提高出光效率，即提高外量子效率。传统的双电极发光 二极管是P/N电极都在同一面，缩小了发光区面积，且芯片的散热能力...
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