技术编号:6961264
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的领域,更具体地说,涉及包括多个存储单元的存储器件的领域。本发明特别涉及一种由具有浮沟(floating channel)或浮栅(floating gate) 的场效应晶体管(FET)形成的存储单元,以及由多个这种存储单元组成的存储阵列。背景技术图1所示为传统浮沟DRAM(动态随机存取存储器)存储单元的截面图。该存储单元形成在SOI (绝缘体上硅)基板上,该SOI基板包括通过埋入式氧化物层(BOX) 2与半导体基板1间隔开的薄硅层3。浮...
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