技术编号:6961546
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种M0S器件,尤其是一种沟槽型大功率M0S器件。 背景技术大功率M0S器件的特征导通电阻(Specific Rdson)和击穿特性是决定产品性能 的两个重要方面,在不影响器件性能的前提下,降低成本是设计和制造的核心内容之一。目 前,中国专利CN101459084A公开了一种《平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方 法》,它利用平面双扩散技术制作了功率M0S器件,并通过JFET注入来降低器件的导通电 阻。如图1所示为中国专利CN101459...
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