技术编号:6962510
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。中是有利的。在经此引用并入本文的US-7033936中描述了一种这样的方 法。根据该文献,在硅衬底表面上沉积氯化铯的半球形岛,用薄膜覆盖包 括岛的衬底表面,并从表面上除去半球形结构(包括覆盖它们的薄膜)以形 成曾经具有半球体的棵露区域的掩膜,通过这样产生掩膜来构造柱体。然 后利用反应性离子蚀刻在棵露区域中蚀刻衬底,并通过例如物理溅射除去 抗蚀剂从而在未蚀刻区域中,即在半球体位置之间的区域中留下硅柱阵列。 在Peng K-Q, Yan, Y-J, Gao S...
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