技术编号：6962989
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种N沟道中压大电流垂直双扩散金属-氧化物-半导体 (VDMOS)场效应晶体管结构，属于半导体功率电子器件领域。背景技术VDMOS场效应晶体管是一种新型功率半导体器件，广泛应用于汽车电子、电动车、 冰箱、电子镇流器、逆变焊机等工业和民用产品。经过三十多年的发展，VDMOS技术已演变 至第八代，其性能不断提升，主要体现在管芯面积日趋缩小、功耗持续降低、可靠性不断提 高。导通电阻与栅电容的优化一直是研究重点，与器件功耗和可靠性密切相关，由此也产生...
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