技术编号:6964034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种发光二极管,尤其涉及由足够宽带隙的半导体材料形成的以在可见光光谱的绿光至紫光部分发光的发光二极管。现在国际上普遍应用的GaN基发光二极管中的多量子阱结构如附图说明图1所示,图中的InGaN/GaN多量子阱122,由GaN势垒123和InGaN势阱124多层交叠而成,其上形成有p型掺杂的A1GaN层121,其下形成有n型掺杂的AlGaN层120。上述结构在生长InGaN/GaN多量子阱122时,GaN势垒123上掺Si,这样可以提高GaN的...
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