技术编号:6966375
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种P沟道JFET与双极混合集成电路,属于半导体硅器件与集成 电路制造。背景技术集成电路分类方法多种多样,若按结构分则有单片集成电路和混合集成电路。单 片集成电路又分为双极型、MOS集成电路。双极集成电路是半导体集成电路中最早出现的 电路形式,这种电路采用的有源器件是双极晶体管,双极集成电路的特点是速度高、驱动能 力强,缺点是功耗较大,集成度相对较低。现有混合集成电路为双极-BiCMOS集成电路,同 时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为Bi...
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