技术编号:6967757
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种大功率M0S器件,特别涉及只要三层光罩便可制作的沟槽 M0S器件。背景技术沟槽M0SFET器件广泛应用于功率类电路中,作为开关器件连接电源与负载。制作 沟槽M0FET器件的硅片通常由高掺杂的衬底和较低掺杂的外延生长层构成。M0SFET漏极位 于硅片底面高掺杂部分,源极位于硅片表面较低掺杂的外延层部分,栅极则由垂直于硅片 表面的沟槽构成。沟槽M0SFET芯片所能承受的最大反向偏置电压由外延层的厚度和掺杂 浓度决定,而导通电流的大小则由导电沟...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。