技术编号:6968544
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种大功率高电流密度整流二极管芯片,属于半导体器件制造技 术领域。背景技术大功率高电流密度整流二极管芯片的制造难度很大,主要是因为要求其具有非常 大的电流密度,达到400A/cm2以上,而普通的整流二极管的电流密度一般为80 lOOA/cm2, 最大不超过200A/cm2。现有技术中,整流二极管芯片的制造过程一般采用先扩硼后扩磷的 工艺,即首先在N型硅片的两个表面扩硼,形成P+区,然后将其中一个表面的P+区磨去,最 后在磨去P+区的表面扩磷,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。