技术编号:6969139
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种如权利要求1的前序中所限定的方法。在硅基微电子器件(集成电路,ICs)的亚微米时代中,二硅化钛(TiSi2)是一种用于栅结构和有源区的第一层金属化和互连的材料。由于它的16μΩcm的低电阻率(与多晶硅比较±300μΩcm),所以TiSi2用于降低多晶硅栅极和有源区的薄层电阻(sheet resistance)。同样,TiSi2降低了这些区域上的接触电阻。较低的薄层电阻和较低的接触电阻导致了电路中的较低的延迟时间(RC延迟),其结果就提高了电路...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。