技术编号:6969150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术区域本发明涉及的是,特别是利用电源回路的闸流晶体管型的。如图26(a)所示,半导体装置910由硅底板920内部的第1N型层916、第1P型层917、第2N型层918和第2P型层919层积而成,特别是第2P型层919是形成在第2N型层918的内部。另外,在硅底板920形成有第1N型层916侧的表面,设有阴极电极端子913,该端子913通过焊锡912a与第1N型层916相连。同样,在形成有第2N型层918和第2P型层919侧的表面,设有阳极电极端子914,...
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