技术编号:6970751
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种图案形成方法和图案形成材料,特别是涉及以波长在180nm波段以下的光作为曝光用光,形成用于在基板上形成半导体元件或半导体集成电路的抗蚀剂(resist)图案的图案形成方法以及使用该方法的图案形成材料。背景技术 目前,为了形成以64兆比特的动态随机存取存储器(DRAM)或具有0.25μm~0.15μm尺度的逻辑处理装置或系统LSI为代表的大容量半导体集成电路,在使用以聚羟基苯乙烯衍生物与酸产生剂为主要成分的化学增幅型抗蚀剂材料的同时,采用KrF...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。