技术编号:6971026
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于CVD室的等离子体清洗气体,这种气体被用来除去CVD室内壁表面或其它表面上在等离子体CVD(化学气相淀积)设备中进行成膜处理时产生的沉积物,在该设备中用二氧化硅、氮化硅等进行的成膜处理是在半导体等的基材表面进行的,本发明还涉及等离子体清洁CVD室的方法。更具体的,本发明涉及对于清洁内壁等上的沉积物有高均一性和优秀腐蚀速度的用于CVD室的等离子体清洗气体,并涉及等离子体清洁CVD室的方法。这里使用的术语“清洁的均一性”是指所产生等离子体的稳定性...
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