技术编号：6971315
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及光检测器，更具体地说，本发明涉及成型在半导体光电子集成电路上的横向沟槽光检测器。根据成型沟槽型光检测器的现有技术方法，为了成型该检测器，需要分别蚀刻用于不同类型电极的沟槽，因此增加了制造过程的步骤。因为这些步骤属于光检测器制造过程中的较昂贵步骤，所以该附加费用会反映到生产成本中。因此，需要一种成型横向沟槽p-i-n光电二极管(LTD)的方法，在该方法中，同时，即在同一个操作步骤对所有电极类型图形化沟槽，然后蚀刻沟槽。根据本发明的第一方面，在...
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