技术编号：6974485
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及射频功率LDMOS晶体管，更具体而言，涉及这种用于第三代无线通信系统的晶体管。背景技术 离散的射频功率LDMOS晶体管主要用于建造在射频基站中所使用的功率放大器。图1显示一种传统射频功率LDMOS晶体管的一部分布局的顶端视图。该晶体管包含多个平行LDMOS晶体管单元，图1显示其中的两个单元，其中这些单元是一种互相交叉的指针结构，包含多对漏指针1，多对栅极指针2和源极/容积金属夹3。漏指针1和栅极指针2分别连接到位于晶体管单元对立边上的一种漏馈...
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