技术编号：6974495
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及用于半导体器件中的介电材料，更具体涉及由胶体分散体制备的介电材料，其具有热稳定性和耐侵蚀性并且完全填充窄隙。背景技术 为了提供提高性能的集成电路(IC)，集成电路上的器件和间隙的特征尺寸不断减小。这样的器件的制备通常需要向硅衬底上的材料层中形成图案的特征(feature)中沉积介电材料。在大多数情况下，重要的是介电材料完全填充这样的特征，这些特征可能小到0.01-0.05μm，或者在下一代器件中甚至更小。填充这样的窄特征，所谓间隙填充，对所用...
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