技术编号:6975401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的领域本发明涉及一种在制造集成电路时用于等离子体刻蚀有机硅酸盐玻璃的改进的方法本发明的背景集成电路制造通常要求刻蚀介电材料中的开口如接点,通路和沟。介电材料包括掺杂氧化硅如氟化氧化硅(FSG),未掺杂氧化硅如二氧化硅,硅酸盐玻璃如硼磷酸盐硅酸盐玻璃(BPSG)和磷酸盐硅酸盐玻璃(PSG),掺杂或未掺杂热生长氧化硅,掺杂或未掺杂TEOS沉积氧化硅,等。电介质掺杂剂包括硼,磷和/或砷。电介质可覆盖在导电或半导电层如多晶硅,金属如铝,铜,钛,钨,钼或其合金...
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