技术编号：6976077
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体的制造。更具体地，本发明涉及半导体晶片中的有机低k电介质的蚀刻。背景技术 集成电路利用电介质层以便使半导体结构的各种层上的各导线绝缘，该电介质层典型由二氧化硅SiO2形成。随着半导体电路变得更快更紧凑、工作频率不断提高，半导体器件内的各导线之间的距离就不断降低。这样就导致了对于电路的耦合电容量的增加，耦合电容的增加具有使半导体器件的工作变慢的缺点。因此，利用能够使各导线有效地绝缘而避免增加耦合电容量的电介质层是很重要的。通常，集成电路中的耦...
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