技术编号:6977838
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及整流器,更具体地说,涉及肖特基势垒整流器件,以及形成这些器件的方法。背景技术 功率器件典型地包括有源区(active region),以及位于有源区外围的终止区(terminal region)以防止过早的电压击穿。常规终止结构包括硅的局部氧化(LOCOS)、场板、护环,或者它们的结合。因为在LOCOS附近会出现巨大的电场,所以巨大的泄漏电流可能通过终止区中的泄漏通路。在图1中示出了减少这种泄漏电流的常规方法。图1示出了在其上形成有沟槽肖特...
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