技术编号：6980905
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体器件制造中的，尤其是涉及通过由光刻胶构成的掩模层对有机类防反射膜蚀刻的。背景技术 近年来，在半导体器件的制造领域，为了防止在通过逐次曝光装置等曝光之际，在光刻胶膜内发生多重干涉引起的驻波等，多用防反射膜(ARC(Anti-Reflecting Coating)膜)。作为这样的防反射膜之一，使用有机类高分子的有机类防反射膜一直以来被使用。图8是示出用上述有机类防反射膜的半导体器件的制造工序的一例。如图8(a)所示，在半导体晶片(硅基板)20...
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